据Digitimes、科技版日报10月28日报道,存储巨头三星电子将对12层HBM3E推出30%降价策略,以抢占市场。 “价格战”背后的逻辑是,三星产品的性能逐渐提升,市场份额却不断下降。直到今年9月,三星12层HBM3E产品才通过NVIDIA测试并正式开始出货。预计今年第四季度出货量将达到数万台。三星 HBM3E 的发货时间明显晚于 SK 海力士和美光等存储制造商。据公开资料显示,SK海力士通过了性能测试,决定从2024年起向Nvidia供应HBM3E产品,16层HBM3E将于今年上半年实现量产供货。其他消息称美光的 HBM3E 性能有望提升今年6月出货量增长至70%以上,出货量有望超越8层HBM3E。由于性能和市场份额明显落后,今年7月有报道称,三星将为部分客户提供HBM3E的价格折扣,以鼓励业务合作。当时三星提醒,HBM3E的供应增速预计将超过需求增速,供需关系预计将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。但从产品迭代趋势来看,HBM3E只是高带宽内存系列的第五代产品。目前,高宽度内存系列第六代产品HBM4可能很快就会正式推出e频段。本月有消息称三星正在加紧HBM4的研发。该公司将在 10 月 27 日举行的 Samsung Technology Show 2025 上宣布第六代 12 层 HBM4数量已增至 31 台,并计划于今年晚些时候量产。至于其他存储厂商,SK海力士今年9月宣布已完成全球首款HBM4的开发,并做好量产准备。 HBM4对老产品的全面收购,是在NVIDIA等科技巨头对AI芯片架构全面升级的推动下,有一定程度的提升。去年年初,黄仁勋宣布推出采用HBM4内存的Blackwell Ultra AI芯片。根据TrendForce的最新研究,Nvidia最近对其V服务器机架中的关键组件供应商提出了积极的要求,以提高产品规格,包括将HBM4的每针速度提高到10 Gbps。在此背景下,SK海力士有望在HBM4量产初期保持最大供应商的优势。价格趋势方面,TrendForce预计HBM的平均单价将上涨20%。到 2025 年,同比增长 8%,达到 1.80 美元/Gb,带来可观的盈利能力。另有机构预测,明年推出的12层HBM4产品单价将达到500美元,比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上。目前来看,三星的 HBM 价格竞争不太可能扩展到 DRAM 等主流存储芯片。韩国KB证券前研究主管Jeff表示,Kim预测,如果目前的DRAM热潮持续下去,明年非HBM ia存储芯片的盈利能力甚至可能超过HBM。据该公司估计,7月至9月三星标准DRAM业务的运营利润率约为40%,HBM业务的运营利润率为60%。近日有消息称,三星电子、SK海力士等存储厂商计划在今年第四季度继续调整针对传统内存客户的报价。存储产品价格DRAM和NAND等芯片将增加高达30%,以满足人工智能驱动的存储芯片需求的激增。
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